2013年9月10日，基金委重大項目《輻射探測技術中的量子效應及機理研究》課題進展檢查與學術交流會在上海順利召開?；鹞瘮?shù)理學部汲培文常務副主任、數(shù)理一處張守著處長和倪培根項目主任應邀到會指導，項目首席陸衛(wèi)研究員、項目組全體成員以及特邀單位代表近三十人參加了會議。項目首席陸衛(wèi)研究員和紅外物理國家重點實驗室主任陳效雙研究員分別主持了會議。 

　　會議開始，首先由戴寧副所長代表項目依托單位中科院上海技物所致歡迎辭，他熱忱歡迎和感謝基金委領導百忙中蒞臨指導重大項目的進展檢查。接著，汲主任和張?zhí)庨L就基金委和項目組的關系、重大項目的定位等做了重要講話和指示。他們指出，基金委根據(jù)專家擬定的重大項目指南進行立項招標，項目立項后，基金委和項目組的關系為督辦關系。“輻射探測技術中的量子效應及機理研究”這個重大項目的顯示度主要應體現(xiàn)在新現(xiàn)象、新效應、新機理和新器件“四個新”上。項目的整體進展應由項目首席全面把關，并應對項目的下一步發(fā)展和走向進行頂層設計。 

　　在課題進展匯報階段，四個課題負責人陸衛(wèi)研究員、曾和平教授、張寶順研究員和林春研究員分別從課題整體完成情況、主要研究成果和亮點、實現(xiàn)的預期目標和存在問題等方面，對“紅外單光子探測新方法與應用”、“紫外-紅外雙色探測材料和器件新原理研究”、“基于量子效應的探測光電信號放大機理研究”和“大失配Si 基異質(zhì)外延碲鎘汞紅外焦平面材料的量子結構研究”四個課題進行了匯報。本重大項目今年年底結題，目前各課題基本完成了相關研究內(nèi)容，達到了技術指標，實現(xiàn)了預期目標。 

　　在下午的學術交流中，共有7個精彩的學術報告，分別為華中科技大學陳長青教授的“AlGaN/GaN基多量子阱ISBT紅外探測器研究進展”報告；北京大學王新強研究員的“Photoconductive Response in AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells”報告；中科院半導體所趙德剛研究員的“AlN材料的MOCVD生長模型及p-GaN歐姆接觸工藝技術”報告；中科院半導體所劉峰奇研究員的“量子級聯(lián)紅外探測器研究”報告；中科院微系統(tǒng)所龔謙研究員的“量子點材料的生長研究”報告；華東師大武愕副教授的“紅外單光子頻率上轉(zhuǎn)換探測及成像研究”報告；中科院上海技物所胡偉達副研究員的“HgCdTe紅外探測器的暗電流研究”報告。