根據(jù)973 計(jì)劃“高性能近紅外InGaAs探測(cè)材料基礎(chǔ)研究及其航天應(yīng)用驗(yàn)證”項(xiàng)目年度工作計(jì)劃，2013年04月19日，“材料微光敏區(qū)參數(shù)表征與器件性能的關(guān)聯(lián)性”專(zhuān)題學(xué)術(shù)研討會(huì)在北京順利召開(kāi)。國(guó)家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部何杰處長(zhǎng)，中科院基礎(chǔ)局?jǐn)?shù)學(xué)物理處王永祥處長(zhǎng)和高技術(shù)局綜合規(guī)劃處崔勇主管，973領(lǐng)域咨詢組專(zhuān)家王占國(guó)院士，項(xiàng)目責(zé)任專(zhuān)家屠海令院士、陳皓明教授，項(xiàng)目顧問(wèn)組專(zhuān)家陳良惠院士、方家熊院士，項(xiàng)目專(zhuān)家組成員宋航研究員、宋國(guó)峰研究員，首席科學(xué)家龔海梅研究員和課題負(fù)責(zé)人繆國(guó)慶研究員、張永剛研究員、韋欣研究員及學(xué)術(shù)骨干和研究生三十余人參加了會(huì)議。項(xiàng)目第三課題承擔(dān)單位中科院半導(dǎo)體所陳弘達(dá)副所長(zhǎng)出席會(huì)議并致辭，他熱忱歡迎各位專(zhuān)家和學(xué)術(shù)骨干蒞臨半導(dǎo)體所參加本次專(zhuān)題學(xué)術(shù)研討會(huì)，同時(shí)表示半導(dǎo)體所一定會(huì)全力支持本項(xiàng)目的相關(guān)研究工作，并預(yù)祝本次學(xué)術(shù)研討會(huì)取得圓滿成功?！　?nbsp; 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 

龔首席和幾位課題負(fù)責(zé)人分別主持課題進(jìn)展情況及專(zhuān)題報(bào)告部分的匯報(bào)。龔首席作項(xiàng)目總體報(bào)告，首先感謝各位領(lǐng)導(dǎo)、專(zhuān)家和項(xiàng)目組成員參加此次專(zhuān)題學(xué)術(shù)交流會(huì)，并在報(bào)告中明確了本次交流會(huì)的主題和目的，介紹了項(xiàng)目中期評(píng)估的要求和目前研究進(jìn)展情況，部署了近期項(xiàng)目研究工作重點(diǎn)和計(jì)劃。隨后，繆國(guó)慶研究員、張永剛研究員、韋欣研究員和李雪研究員分別匯報(bào)了四個(gè)課題研究工作進(jìn)展情況及下一步工作計(jì)劃；顧溢副研究員、曾玉剛副研究員等學(xué)術(shù)骨干和研究生也分別做“材料生長(zhǎng)及工藝優(yōu)化”、“亞波長(zhǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)”、“器件工藝方法和器件物理”、“波長(zhǎng)延伸器件的暗電流研究”、“專(zhuān)用讀出電路設(shè)計(jì)與分析”等八個(gè)專(zhuān)題報(bào)告。

與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)和專(zhuān)家就項(xiàng)目和課題研究情況、中期評(píng)估目標(biāo)及所涉及的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題進(jìn)行了深入、細(xì)致的討論，一致認(rèn)為項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)組織好，凝聚力強(qiáng)，研究工作有明顯進(jìn)展，同時(shí)建議在具體研究過(guò)程中進(jìn)一步加強(qiáng)不同課題、不同單位研究人員的緊密合作，把各課題研究集中到項(xiàng)目總目標(biāo)上來(lái)；并關(guān)注科學(xué)問(wèn)題的凝練，研究新技術(shù)和新方法，如異質(zhì)材料界面復(fù)合速率和失配材料深能級(jí)提取、器件暗電流機(jī)制、新型材料數(shù)據(jù)庫(kù)等，爭(zhēng)取在中期評(píng)估中取得好成績(jī)。

最后，龔首席作了總結(jié)發(fā)言。他再次感謝各位領(lǐng)導(dǎo)和專(zhuān)家蒞臨指導(dǎo)并提出了許多寶貴的建議，感謝半導(dǎo)體所及各課題為此次會(huì)議所做的精心準(zhǔn)備，表示后續(xù)將按照各位領(lǐng)導(dǎo)和專(zhuān)家的意見(jiàn)，進(jìn)一步將重點(diǎn)聚焦在InGaAs材料缺陷密度、InGaAs探測(cè)器暗電流產(chǎn)生的非本征因素、亞波長(zhǎng)局域增強(qiáng)新結(jié)構(gòu)和提高器件性能的工藝新方法等方面，為項(xiàng)目中期評(píng)估和項(xiàng)目總目標(biāo)實(shí)現(xiàn)奠定基礎(chǔ)。為期一天的專(zhuān)題學(xué)術(shù)交流會(huì)短暫而精彩，達(dá)到了預(yù)期效果！

會(huì)議場(chǎng)景

會(huì)議合影