近期,國(guó)家自然科學(xué)基金委下達(dá)信息學(xué)部重大項(xiàng)目2013年項(xiàng)目立項(xiàng)通知,我所戴寧研究員作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人申請(qǐng)的重大項(xiàng)目“長(zhǎng)波紅外焦平面器件基礎(chǔ)理論與關(guān)鍵技術(shù)”喜獲資助。
該項(xiàng)目由中科院上海技術(shù)物理研究所作為第一承擔(dān)單位,聯(lián)合中科院半導(dǎo)體研究所、浙江大學(xué)、華東師范大學(xué)、安徽大學(xué)共同承擔(dān)。項(xiàng)目共設(shè)5個(gè)課題,陳效雙研究員作為課題一負(fù)責(zé)人,陳建新研究員負(fù)責(zé)課題二,張新惠研究員負(fù)責(zé)課題三,戴寧研究員負(fù)責(zé)課題四,吳惠楨教授負(fù)責(zé)課題五。
項(xiàng)目將采用高精度的現(xiàn)代光譜、電學(xué)、結(jié)構(gòu)表征手段,系統(tǒng)研究HgCdTe,InAs/GaSb II型超晶格和非本征Si:As的13微米以上長(zhǎng)波紅外材料的缺陷形成機(jī)制、缺陷動(dòng)力學(xué)行為和摻雜特性,及其對(duì)長(zhǎng)波紅外焦平面性能的影響,特別是各類(lèi)缺陷、雜質(zhì)對(duì)器件暗電流、噪音、串音的影響;探尋抑制暗電流、漏電流、噪音、器件串音的方法和手段,為新一代長(zhǎng)波紅外焦平面器件發(fā)展奠定理論基礎(chǔ)和提供關(guān)鍵技術(shù)。旨在通過(guò)降低長(zhǎng)波紅外材料中的缺陷和有害雜質(zhì)濃度,抑制長(zhǎng)波紅外探測(cè)器中的暗電流、漏電流、噪音和串音,從而有效提高長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的性能。項(xiàng)目預(yù)期成果:長(zhǎng)波紅外焦平面的暗電流、漏電流、噪音和串音指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水平,爭(zhēng)取在1-2項(xiàng)核心技術(shù)有所突破,并能夠用于國(guó)家航天重大工程項(xiàng)目。
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