近日,由上海技術(shù)物理研究所硅器件室聯(lián)合有關(guān)單位,在西安完成了256′256元MOS電阻陣列紅外圖像轉(zhuǎn)換器的性能測(cè)試,并分別使用320′256中波和長(zhǎng)波制冷型熱像儀進(jìn)行了成像演示,演示成像質(zhì)量良好,中波表觀溫度范圍0℃~300℃,長(zhǎng)波表觀溫度范圍0℃~200℃,幀頻200Hz,表觀溫度非均勻性小于10%,200Hz幀頻條件下一幀時(shí)內(nèi)的溫度保持水平優(yōu)于97%,比技術(shù)協(xié)議指標(biāo)要求提高70%,總體性能均達(dá)到或超過(guò)研制合同要求。
該項(xiàng)目研制的256′256電阻陣列紅外圖像轉(zhuǎn)換器是國(guó)內(nèi)首次研制的第二代中等規(guī)模的器件,總體技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平,已具有工程實(shí)用價(jià)值,項(xiàng)目的圓滿結(jié)題表明我所MOS電阻陣的研制進(jìn)入了一個(gè)新的階段,為“十二五”任務(wù)的爭(zhēng)取奠定了良好的基礎(chǔ)。
256′256電阻陣列長(zhǎng)波紅外圖像

256′256電阻陣列中波紅外圖像
硅器件室 供稿
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