近日,由中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所硅器件研究室承擔的國際科技合作項目“亞微米和深亞微米CMOS場效應(yīng)管在深低溫下和超低溫下的傳導(dǎo)特性研究與物理建模”(編號:09530708500)順利通過了上海市科委的驗收。驗收專家組評價該項目很好地完成了項目任務(wù)書的要求,部分技術(shù)指標達到了國際先進水平。
國際合作項目是上海市科委為了鼓勵科研院所圍繞關(guān)鍵技術(shù)開展對外科技合作,把握國際科技發(fā)展新動向,進一步提升自身科學(xué)研究水平和技術(shù)開發(fā)能力而開展的非政府間國際科技合作。該項目由硅器件室與法國斯特拉斯堡大學(xué)胡永才教授開展科技合作,耗時兩年多。項目完成了深亞微米工藝CMOS場效應(yīng)管在深低溫下的電傳導(dǎo)特性以及IC電路中的無源和有源器件的溫變特性研究,通過系列化的MOS管設(shè)計及其在不同溫度下電特性測量,獲取了工作溫度降低對CMOS電路特性的影響規(guī)律,建立了深低溫下的電路仿真模型,并利用該模型設(shè)計深低溫電路并進行了深低溫驗證,研制出了高性能深低溫單元電路。
該項目的順利完成對今后開展復(fù)雜的高性能深低溫IC電路設(shè)計,開發(fā)復(fù)雜的航空航天電路芯片具有重要意義。
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