近日,通過(guò)專家組的評(píng)審,我所硅器件室申請(qǐng)的上海市科委國(guó)際科技合作項(xiàng)目<<深亞微米CMOS場(chǎng)效應(yīng)管在深低溫和超深低溫下的電傳導(dǎo)特性研究與物理建模研究>>獲得批準(zhǔn)(合同編號(hào)09530708500)。這是我所第一次從上海市科委獲得此類項(xiàng)目支持。
項(xiàng)目由我所硅器件室與法國(guó)斯特拉斯堡大學(xué)微電子傳感器與集成電路設(shè)計(jì)研究中心合作,法國(guó)斯特拉斯堡大學(xué)微電子傳感器與集成電路設(shè)計(jì)研究中心是國(guó)際微電子領(lǐng)域享有較高聲譽(yù)的研究中心,此前在開(kāi)展上海市白玉蘭基金項(xiàng)目時(shí)雙方曾有過(guò)合作,此次再度合作有利于集成電路設(shè)計(jì)的深入研發(fā)。
本項(xiàng)目的研究對(duì)提高我所的電路設(shè)計(jì)水平,進(jìn)一步研發(fā)航天應(yīng)用的特種CMOS電路,增強(qiáng)我所承擔(dān)國(guó)家重大項(xiàng)目的能力,促進(jìn)室、所的科技進(jìn)步及院地合作、國(guó)內(nèi)外合作與交流具有重要意義。
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