
一、基本信息
????姓????名:謝浩??????????????????
????性????別:男?????????????????????????
????籍????貫:江蘇句容????????????????
????出生年月:1993年6月????????????????????
????畢業(yè)院校:中國科學(xué)院大學(xué)??????????????????????????????????????????????????
????學(xué)歷學(xué)位:研究生/博士???????????????????
????技術(shù)職務(wù):副研究員????????????????
????導(dǎo)師類別:碩導(dǎo)?????????????????
????工作部門:中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所?材器中心??
????電子郵箱:xiehao@mail.sitp.ac.cn???????????????????????????
?二、工作簡歷
????2021年4月至今,?中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所, 副研究員
????2020年7月至2021年3月, 北京航空航天大學(xué)杭州創(chuàng)新研究院。
三、科研工作簡介
????研究方向:光子級超靈敏碲鎘汞紅外探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計,線性雪崩紅外焦平面的大規(guī)模陣列制備與微納異質(zhì)集成制造技術(shù),高速紅外器件表征系統(tǒng)搭建及測試方法研究等。
????在研項目:國家重大基礎(chǔ)專題負(fù)責(zé)人,負(fù)責(zé)上海市自然科學(xué)基金青年項目、全重自主部署項目、博士后面上基金3項。作為骨干參與國自然重點儀器項目和中科院先導(dǎo)項目。
五、主要獲獎成果
????上海市“超級博士后”人才激勵計劃。
????嘉定區(qū)D類精英人才項目。
????首屆上海市博士后創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽優(yōu)勝獎(最高獎項)。
六、代表性論文專利
論文:
????(1) Study on area-dependent multiplication region width and optimization of HgCdTe avalanche focal plane, Infrared Physics and Technology, 2025, 第 1 作者? 通訊作者
????(2) Study on the effect of implanted area on the multiplication region and characteristics of PIN HgCdTe avalanche photodiodes, Proc. of SPIE, 2025, 第 1 作者? 通訊作者
????(3) Study on dark current suppression of HgCdTe avalanche photodiodes for low flux photon detection, Applied Physics Letters, 2024, 第 1 作者? 通訊作者
????(4) Disclosing the carrier distributions in ion-implanted HgCdTe p-n junctions with scanning capacitance microscopy, AIP Advances, 2024, 第 3 作者
????(5) Mid-infrared modulated photoluminescence mapping to investigate in-plane distributions of bandedge transitions in As-doped HgCdTe, Applied Physics Letters, 2023, 第 4 作者
????(6) Study on high gain-bandwidth product HgCdTe MWIR electron avalanche photodiodes, Infrared Physics and Technology, 2023, 第 1 作者? 通訊作者
????(7) Design and fabrication of HgCdTe linear avalanche devices with low gain normalized dark current density, Proc. of SPIE, 2023, 第 1 作者? 通訊作者
????(8) Research on high gain-bandwidth product mid-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes, Proc. of SPIE, 2023, 第 1 作者? 通訊作者
????(9) Bandwidth characterization and optimization of high-performance mid-wavelength infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes, Infrared Physics and Technology, 2023, 第 5 作者
????(10) 碲鎘汞光子計數(shù)型線性雪崩探測器 (特邀), 紅外與激光工程, 2023, 第 5 作者
????(11) Room-temperature InAsSb pBin detectors for mid-infrared application, Infrared Physics and Technology, 2023, 第 1 作者? 通訊作者
????(12) InAs based pBin MWIR Photodetectors Grown by Liquid Phase Epitaxy: Design, Fabrication and Characterization, Journal of Crystal Growth, 2023, 第 2 作者
????(13) Modeling and characteristics of MWIR HgCdTe APD at different post-annealing processes, Infrared Physics and Technology, 2022, 第 4 作者
????(14) Dark current and noise analysis for Long-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes, Infrared Physics and Technology, 2022, 第 6 作者
????(15) Dynamically reconfigurable subwavelength optical device for hydrogen sulfide gas sensing, Photonics Research, 2021, 第 5 作者
????(16) Investigation of surface morphology of InAs1-x-ySbxPy epilayers grown by liquid phase epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 第 1 作者
????(17) 基于液相外延的InAs基紅外探測器InAsSbP阻擋層的仿真, Modeling of InAsSbP Blocking Barrier Grown by Liquid-Phase Epitaxy in InAs-Based Infrared Photodetector, 光學(xué)學(xué)報, 2019, 第 2 作者
????(18) Liquid phase epitaxy growth and photoluminescence of InAs(1-x-y)Sb(x)P(y)epilayer, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 1 作者
????(19) Photoluminescence investigation of type-II GaSb/GaAs quantum dots grown by liquid phase epitaxy, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
????(20) Phonon replicas of type-II GaSb/GaAs quantum dot structure grown by liquid phase epitaxy, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 3 作者
????(21) 兩種液相外延模式生長GaAs0.9Sb0.1薄膜的性能, 激光與光電子學(xué)進(jìn)展, 2017, 第 1 作者
專利:
????( 1 ) 一種基于垂直液相外延材料的碲鎘汞雙色雪崩探測器, 實用新型, 2025, 第 1 作者, 專利號: CN202420627242.2,已授權(quán)。
????( 2 ) 一種基于垂直液相外延材料的碲鎘汞雙色雪崩探測器及制備方法, 發(fā)明專利, 2024, 第 1 作者, 專利號: CN202410370844.9,實質(zhì)審查。
????( 3 ) InAs基室溫寬波段紅外光電探測器, 實用新型, 2021, 第 5 作者, 專利號: CN202120239638.6,已授權(quán)。
????( 4 ) 一種InAs基室溫寬波段紅外光電探測器, 發(fā)明專利, 2021, 第 5 作者, 專利號: CN202110116588.7,實質(zhì)審查。
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