
一、基本信息
姓????名:徐超??????????????????
性????別:男?????????????????????????
籍????貫:安徽宣城????????????????
出生年月:1986年9月????????????????????
畢業(yè)院校:中國科學院大學??????????????????????????????????????????????
學歷學位:研究生/博士???????????????????
技術(shù)職務(wù):副研究員????????????????
導師類別:碩導?????????????????
工作部門:中國科學院上海技術(shù)物理研究所?材器中心?
電子郵箱:charlesxu@mail.sitp.ac.cn??????????????????????????
?二、工作簡歷
2012年6月至今 中國科學院上海技術(shù)物理研究所。
三、科研工作簡介
主要從事紅外半導體晶體材料生長技術(shù)及缺陷調(diào)控技術(shù)等方面的研究。
? ? 在紅外半導體晶體生長和缺陷控制領(lǐng)域,主要負責CdZnTe單晶生長技術(shù),包括垂直布里奇曼法(VB),垂直梯度凝固法(VGF),移動加熱器法(THM)等單晶生長技術(shù)的研究。在缺陷調(diào)控領(lǐng)域,主要從事晶體中非晶相缺陷和位錯缺陷的抑制,襯底缺陷和碲鎘汞外延材料性能相關(guān)性等方面的研究。
? ? 在碲鋅鎘單晶材料和缺陷控制領(lǐng)域的十年研究工作中,作為項目負責人先后完成了國家,中國科學院級以及國家自然科學青年基金等多個項目的研究工作。
? ? 在J. Electron Mater,J .Cryst Growth,Crystal research &Technology,紅外與毫米波學報,紅外等國內(nèi)外SCI和EI學術(shù)刊物上發(fā)表十來篇學術(shù)論文,以及申請數(shù)篇專利并授權(quán)。
四、代表性論文專利
1. C. Xu, J. Zhang, C.H. Zhou, et al, J. Cryst. Growth 2024, vol. 633, p. 127670. ;?
2. C. Xu, S.S Li and C.H. Zhou, J. Electron. Mater. 2024. ;?
3. Xu, S. W. Sun, J. R. Yang, et al, J. Infrared Millimeter Waves 2019, vol. 38, pp. 325-330. ;?
4.C. Xu, C. H. Zhou, S. W. Sun, H. X. Yu and J. R. Yang, Cryst. Res. Technol. 2018, vol. 53. ;
5.C. Xu, F. F. Sheng and J. R. Yang, J. Electron. Mater. 2017, vol. 46, pp. 5168-5173. ;?
6.C. Xu, F. F. Sheng and J. R. Yang, J. Cryst. Growth 2016, vol. 451, pp. 126-131.?
專利:CN201410748540.8,CN201610406792.1,CN201420597484
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