半導(dǎo)體物理和器件專家。華東師范大學(xué)教授。1945年3月20日生于江蘇宜興。1966年畢業(yè)于上海師范學(xué)院物理系，1981年和1984年先后獲中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所碩士、博士學(xué)位。曾任紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。2005年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。

　　現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所研究員、博士生導(dǎo)師，中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所學(xué)位委員會(huì)副主任，SCI期刊《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》主編，華東師范大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院院長(zhǎng)，兼任上海市科協(xié)副主席、中國(guó)光學(xué)工程學(xué)會(huì)常務(wù)理事。 

　　長(zhǎng)期從事紅外光電子材料和器件的研究，開展了用于紅外探測(cè)器的窄禁帶半導(dǎo)體碲鎘汞（HgCdTe）和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁帶寬度等關(guān)系式，被國(guó)際上稱為CXT公式，廣泛引用并認(rèn)為與實(shí)驗(yàn)結(jié)果最符合；建立了研究窄禁帶半導(dǎo)體MIS器件結(jié)構(gòu)二維電子氣子能帶結(jié)構(gòu)的理論模型；發(fā)現(xiàn)HgCdTe的基本光電躍遷特性，確定了材料器件的光電判別依據(jù)；開展鐵電薄膜材料物理和非制冷紅外探測(cè)器研究，研制成功PZT和BST鐵電薄膜非制冷紅外探測(cè)器并實(shí)現(xiàn)了熱成像。近年來(lái)從事極化材料和器件以及太陽(yáng)能電池技術(shù)研究。曾經(jīng)獲得國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)3次、部委級(jí)自然科學(xué)獎(jiǎng)或科技進(jìn)步獎(jiǎng)12次。出版中英文專著3本。發(fā)表論文五百余篇。榮獲全國(guó)首屆創(chuàng)新爭(zhēng)先獎(jiǎng)?wù)?、十佳全?guó)優(yōu)秀科技工作者、上海市科普創(chuàng)新杰出人物獎(jiǎng)等多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。培養(yǎng)研究生八十余名。 

　　自2009年被聘為上海市政府參事以來(lái)，多份報(bào)告引起國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人和市領(lǐng)導(dǎo)的重視。